SUNX微型激光位移傳感器，CMOS型

　　·外加電壓：30VDC以下(控制輸出和0V之間)

　　·剩余電壓：1.5V以下(流入電流50mA時)

　　設計出內部設置反射鏡的新型光學系

　　較大輸出：0.2mW、投光峰波長度：655nm

　　設計出內部安裝有鏡面的新型光學系統

　　受光元件CMOS圖像傳感器　　控制輸出

　　采用位移傳感器所使用的CMOS影像傳感器，以及位移傳感器

　　W20mm×H44mm×D25mm　　配備模擬輸出

　　·較大源電流：50mA　　·外加電壓：30V DC以下(控制輸出和＋V之間)

　　消耗電流40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時)

　　精度所產生的影響。

　　測量。　　1mm/100mm的。

　　·輸出范圍：0V～5V(正常時)；5.2V(報警時)

　　電源電壓12V DC～24V DC±10%　脈動P-P10%

　　少外殼變形和溫度等不穩定因素對測量

　　※截止到2014年3月，根據本公司調查

　　長，機身形狀也會變大。HG-C系列

　　穩定檢測10μm的CMOS激光傳感器

　　統，并縮短進深方向的尺寸，同時又

　　SUNX微型激光位移傳感器，CMOS型

　　·較大流入電流：50mA　　·漏電流：0.1mA以下

　　(CMOS)之間的光路長度，從而可獲

　　光源紅色半導體激光　2級(JIS/IEC/GB)、Ⅱ級(FDA)(注2)

　　可實現與變位傳感器相媲美的

　　·漏電流：0.1mA以下　　短路保護配備(自動復位式)　　模擬輸出

　　輸出動作入光時ON／非入光時ON　可切換

　　是另一方面，傳感器的進深方向會變

　　形狀達到業內小型級別 ※進深：25mm業內較短

　　〈PNP輸出型〉　　PNP開路集電極晶體管

　　〈NPN輸出型〉　　NPN開路集電極晶體管

　　采用同時兼顧輕量與強度的鋁鑄外殼。

　　·剩余電壓：1.5V以下(流入電流50mA時)

　　得精度更高、更穩定的測量值，但

　　直線性±0.1%F.S. ±0.2%F.S. ±0.3%F.S.

　　光束直徑約φ50μm 約φ70μm 約φ120μm 約φ300μm 約φ500μm 約φ150μm

　　CMOS影像傳感器&配備獨特的算法

　　SUNX微型激光位移傳感器，CMOS型